項目名稱：半導體晶圓生產(chǎn)車間模塊化潔凈室
設備面積：1180㎡
設備內(nèi)部凈空高度：3.2m
設備潔凈度：ISO5(百級)
甲方行業(yè)：半導體/芯片/傳感器
設計溫/濕度：23±1℃/45±3%

項目特點：

1、黃光防護，潔凈環(huán)境精準保障：

光刻工藝所用光刻膠對200-500nm紫外光敏感，而黃光燈波長（570-620nm）不在其感光區(qū)間，因此光刻區(qū)需打造全黃光照明的潔凈空間。該區(qū)采用防靜電巖棉彩鋼板作為墻體與吊頂結構，表面光滑無接縫，減少顆粒附著與積塵風險，同時具備抗靜電性能，避免靜電吸附微塵污染晶圓。


2、百級潔凈，工藝良率穩(wěn)定達標：

光刻區(qū)需達到百級潔凈度（對應 ISO 14644-1 的 Class 5 級），即每立方米空氣中≥0.5μm的顆粒數(shù)≤3520個。先進光刻工藝的電路線寬已達納米級，微小顆粒會導致光刻膠曝光缺陷或后續(xù)刻蝕/離子注入偏差。通過 “FFU 密集布控+回風夾層循環(huán)過濾+層流氣流組織” 的系統(tǒng)設計，光刻區(qū)可穩(wěn)定維持百級潔凈度，確保晶圓表面在光刻過程中不受污染，保障芯片良率。


3、側(cè)面回風，氣流循環(huán)高效潔凈：

側(cè)邊設置回風墻，作為氣流循環(huán)的核心通道。潔凈空氣經(jīng)頂部FFU均勻送入光刻區(qū)，攜帶微塵后通過側(cè)面回風墻的回風通道回流至過濾系統(tǒng)，形成 “上送側(cè)回” 的氣流組織。該設計不僅能高效過濾空氣中的顆粒，還可靈活適配車間布局，避免頂部空間過度占用，同時維持室內(nèi)氣壓穩(wěn)定，防止外部污染空氣滲入，為光刻過程持續(xù)供給潔凈氣流。

4、高架地板，防靜電與氣流優(yōu)化兼顧：

光刻區(qū)地面采用防靜電高架地板，地板下方形成隱藏式空間，可集成工藝氣體管道、電力與信號線纜 , 既保持車間整潔，又便于后期維護。同時，高架地板配合 “上送側(cè)回” 的氣流組織，潔凈空氣能從地板縫隙均勻下送，再經(jīng)側(cè)面回風墻高效回收，進一步提升室內(nèi)氣流均勻性與潔凈度穩(wěn)定性；此外，地板具備防靜電特性，可釋放人員、設備產(chǎn)生的靜電，避免靜電擊穿晶圓或吸附微塵。